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中科院-高濃度臭氧發生器用于ALD
該臭氧發生器濃度可達300mg/L,搭配3S-J5000臭氧檢測儀對濃度進行實時檢測。
高濃度臭氧發生器在ALD(原子層沉積)中有廣泛的應用。ALD是一種薄膜沉積技術,通過周期性的氣相反應,一層一層地沉積原子尺度的薄膜。臭氧在ALD中通常用作氧化劑,與金屬有機前體反應,形成金屬氧化物薄膜。
高濃度的臭氧發生器能夠提供更高的臭氧濃度,這對于快速且均勻地進行ALD過程至關重要。這種設備通常需要嚴格的控制和安全措施,以確保在工藝中保持穩定的氣相條件,從而獲得高質量的薄膜沉積。

標簽:高濃度(12)臭氧發生器(62)ALD(6)


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