- 某研究所ALD用臭氧發生器150mg/L
某研究所ALD用臭氧發生器150mg/L nano15臭氧發生器，體積小，臭氧產量15g/h，濃度高，非常適合ALD實驗使用。 . . .
- 中科院-高濃度臭氧發生器用于ALD
中科院-高濃度臭氧發生器用于ALD 該臭氧發生器濃度可達300mg/L，搭配3S-J5000臭氧檢測儀對濃度進行實時檢測。 高濃度臭氧發生器在ALD（原子層沉積）中有廣泛的應用。ALD是一種薄膜沉積 . . .
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近些年半導體、ALD蓬勃發展，臭氧被電子工業用于形成 CVD 和 ALD 薄膜、氧化物生長、光刻膠去除和多種清潔應用。我們介紹幾款能滿足半導體行業用的 臭氧 發生器 。 1、美國SEMOZON A . . .
- ALD用高濃度臭氧發生器使用現場
ALD用高濃度臭氧發生器使用現場 上海某科研單位采購北京同林代理的加拿大absolute ozone Atlas H30臭氧發生器和北京同林3S-J5000臭氧檢測儀進行原子沉淀（ALD）實驗，實驗達到要求。 . . .
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用于原子層沉積（ALD）的臭氧發生器 在納米技術和先進材料中，原子層沉積（ALD）在薄膜和涂層的精密生長中起著舉足輕重的作用。原子層沉積（ALD）以生產具有原子級控制的超薄高質 . . .
- 臭氧和水ALD工藝中DMACl基Al2O3膜主體中元素濃度的比較
臭氧和水ALD工藝中DMACl基Al2O3膜主體中元素濃度的比較 DMACl-臭氧作為ALD過程 在ALD工藝中，每周期生長量(GPC)是描述薄膜生長的重要參數。如果GPC在ALD生長潛伏期后達到恒定值，則表明生 . . .
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